【快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外，還會在上面點上某種材質的焊點，其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開】。超快速熔斷器選型有哪些？

·  額定電壓：

    快速熔斷器的額定電壓UN應稍大于快速熔斷器熔斷后兩端出現的故障電路的外加交流電壓。若半導體設備的負荷是有源逆變器、逆變型制動的電動機等逆變型負載時，應考慮半導體器件失控等引起設備直流側短路的可能性，此時快速熔斷器熔斷時，熔片兩端交流電壓與直流電壓疊加現象，快速熔斷器的額定電壓應按下式計算：UN ≥Uac+Udo×1/√2 式中：Uac：快速熔斷器熔斷后外加交流電壓;Udo：半導體設備負載端逆變型直流電壓。

·  額定電流：

    熔斷器的額定電流INF是以電路中實際流過熔斷器的電流有效值IF為基礎，并考慮環境溫度、冷卻條件、電流裕度等因素影響進行計算。INF≥K×IF 式中：K值一般可取1.5~2。對于自冷式熔斷器K取較大值，尤其對熔斷器兩端連接導線特別短的電路，需取最大值;對水冷式熔斷器K取較小值。快速熔斷器選用額定電流過大勢必增加熔斷器的I2tF值，對半導體器件的保護是有害的。